國立成功大學晶體研究中心 26日正式揭牌啟用 是目前國內唯一具備超高溫 2300度以上 大尺寸碳化矽晶體生長技術的學術機構 未來該中心將推動碳化矽與氧化鎵材料在半導體 雷射及醫療領域應用 提升台灣在全球市場競爭力
位在南科成功大學晶體研究中心，長期獲國科會與教育部高教深耕計畫支持，目前已突破高溫SiC碳化矽晶體生長技術瓶頸，可以生長大尺寸、高純度碳化矽晶體，為台灣半導體與功率元件產業提供關鍵材料(院長)
研究中心主持人周明奇教授表示，這次晶體研究中心成立，不僅獲得學術界高度關注，更吸引國內外龍頭企業大力支持，其中大立光電集團投入數千萬建置最先進晶體生長設備，推動台灣在全球晶體技術領導地位(主持人)
上午揭牌啟用包括教育部與國科會都到場，現場並邀請半導體、光學、醫療及雷射產業專家共同出席，揭牌以後也參觀實驗室，展示中心最新碳化矽與氧化鎵高溫晶體技術。
